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美光是第一家推出24GB DDR5 内存设备并于去年秋天开始在其基地发货实际模块的公司。该公司今天透露，事实证明，该公司希望保持领先地位，并准备在 2024 年上半年量产 32Gb DDR5 IC 以及大容量内存模块。

美光的单片 32Gb DDR5 IC 将采用美光的 1β(1-beta)制造技术制造，这是该公司最先进的生产节点，也是最后一种不使用极紫外光刻的制造工艺。目前，美光尚未透露其 32Gb 设备的数据传输速率，但考虑到这些设备将是美光的第三代 DDR5 IC，预计它们的速度相当快。

现代 DRAM 制造技术允许内存制造商做的事情之一就是构建高容量单片内存设备。去年， 美光在其1α (1-alpha) 工艺技术上打造了 24GB 内存 IC 后，该公司顺理成章地继续开发采用 1β 节点的 32GB 设备，而这也正是该公司正在做的事情。

32Gb DDR5 DRAM IC 对于数据中心级内存模块特别有用，因为它们显然受益于高容量 DRAM。不过，虽然 32Gb 设备为 1TB DDR5 模块(使用 32 个 8-Hi 32Gb 堆栈)打开了大门，但美光科技并没有急于求成，明年只会提供基于这些 IC 的 128GB DDR5 模块。展望未来，该公司计划推出 192GB 和 256GB DDR5 模块。

与此同时，512GB 和 1TB 内存条目前并未列在路线图中，可能是因为美光仍将此类内存条视为可能向特定客户提供的小众设备。

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